离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些？

问答题离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些？

1.问答题离子注入主要部件有哪些？

有离子源、磁分析器、加速器、扫描器、偏束板和靶室。

2.问答题离子注入后为何退火？

3.问答题离子注入后退火的作用是什么？

作用是激活注入的离子，恢复迁移率及其他材料参数。

4.问答题什么是离子注入损伤？

离子注入损伤，是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。

5.问答题有哪些损伤类型？

损伤类型：空位、间隙原子、间隙杂质原子、替位杂质原子等缺陷和衬底晶体结构损伤。

6.问答题什么是沟道效应？

7.问答题如何降低沟道效应？

8.问答题与扩散源相比，离子注入有哪些优点？

9.问答题扩散源有哪些存在形态？

扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式。

10.问答题热扩散机制有哪些？

替位式扩散、填隙式扩散、填隙—替位式扩散