影响显影的主要因素？

问答题影响显影的主要因素？

曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况

1.问答题光刻工艺包括哪些工艺？

底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验

2.问答题何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求？

3.问答题离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些？

4.问答题离子注入主要部件有哪些？

有离子源、磁分析器、加速器、扫描器、偏束板和靶室。

5.问答题离子注入后为何退火？

6.问答题离子注入后退火的作用是什么？

作用是激活注入的离子，恢复迁移率及其他材料参数。

7.问答题什么是离子注入损伤？

离子注入损伤，是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。

8.问答题有哪些损伤类型？

损伤类型：空位、间隙原子、间隙杂质原子、替位杂质原子等缺陷和衬底晶体结构损伤。

9.问答题什么是沟道效应？

10.问答题如何降低沟道效应？