什么是正光刻胶，负光刻胶？

问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？

1.问答题什么是负光刻胶？

负光刻胶：胶的曝光区在显影中保留，未曝光区在显影中除去，负胶多由长链高分子有机物组成

2.问答题显影为何要进行检查？

区分哪些有很低可能性通过最终掩膜检验的衬底，提供工艺性能和工艺控制数据，以及分拣出需要重做的衬底

3.问答题显影检查内容有哪些？

检查内容：掩膜版选用是否正确、光刻胶层得质量是否满足要求、图形的质量、套刻精度是否满足要求

4.问答题影响显影的主要因素？

曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况

5.问答题光刻工艺包括哪些工艺？

底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验

6.问答题何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求？

7.问答题离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些？

8.问答题离子注入主要部件有哪些？

有离子源、磁分析器、加速器、扫描器、偏束板和靶室。

9.问答题离子注入后为何退火？

10.问答题离子注入后退火的作用是什么？

作用是激活注入的离子，恢复迁移率及其他材料参数。