一截在为10-3cm2，掺有杂质浓度NA=1013/cm3的P型硅样品，在样...

问答题 一截在为10^-3cm²，掺有杂质浓度N_A=10₁₃/cm³的P型硅样品，在样品内加有强度为10³V/cm的电场，求：
（1）室外温时样品的电导率及流过样品的电流密度。
（2）400K时样品的电导率及流过样品的电流密度。

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1.问答题一截面为0.6cm²，长为1cm的n型GaAs样品，设μ_n=8000cm²/V.s，n=10¹⁵cm³，试求该样品的电阻。

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2.问答题设电子迁移率为0.1cm²/V.s，硅的电子有效质量m_cn=0.26m₀，如加以强度为10⁴V/m的电场，试求平均自由时间和平均自由程。

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3.问答题在500g的硅单晶中掺有4.5×10^-5g的硼，设杂质全部电离，求该材料的电阻率（设μ_p=400cm²/V.s），硅单密度为2.33g/cm³，硼的原子量为10.8）。

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4.问答题本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350cm²/V.s和500cm²/V.s，当掺入百万分之一的A_s后，设杂质全部电离，试计算其电导率比本征硅的电导率增大了多少倍？

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5.问答题300K时，锗的本征电阻率为47Ω.cm，如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征锗的载流子浓度。

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6.问答题设硅中施主杂质电离能ΔE_D=0.04eV，施主杂质浓度N_D=10¹⁶/cm³，以施主杂质电离90%作为达到强电离的最低标准，试计算保持饱和杂质电离的温度范围。

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7.问答题设锗中施主杂质的电离能ΔE_D=0.01eV，在室温下导带底有效状态密度N_c=1.04×10¹⁹/cm³，若以施主杂质电离90%作为电离的标准，试计算在室温（T=300K）时保持杂质饱和电离的施主杂质浓度范围。

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8.问答题一硅半导体含有施主杂质浓度N_D=9×10¹⁵/cm³，和受主杂质浓度N_A=1.1×10¹⁶/cm³，求在T=300K时（n_i=1.3×10¹⁰/cm³）的电子空穴浓度以及费米载流了浓度。

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9.问答题一块n型硅材料，掺有施主浓度N_D=1.5×10¹⁵/cm³，在室温（T=300K）时本征载流浓度n_i=1.3×10¹²/cm³，求此时该块半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度。

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10.问答题 本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为：，式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：
（1）设N=10²³cm^-3，k=8.6″×10^-5eV.K^-1时， Si（Eg=1.1eV），TiO₂（Eg=3.0eV）在室温（20℃）和500℃时所激发的电子数（cm^-3）各是多少？
（2）半导体的电导率σ（Ω^-1.cm^-1）可表示为，式中n为载流子浓度（cm^-3），e为载流子电荷（电荷1.6×10^-19C），μ为迁移率（cm².V^-1.s^-1）当电子（e）和空穴（h）同时为载流子时，
假定Si的迁移率μe=1450（cm².V^-1.s^-1），μ_h=500（cm².V^-1.s^-1），且不随温度变化。求Si在室温（20℃）和500℃时的电导率。

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