对副载波陷波电路的要求为：吸收深度大于（）dB、吸收带宽为150—250kH...

单项选择题对副载波陷波电路的要求为：吸收深度大于（）dB、吸收带宽为150—250kHz。

A、15
B、20
C、5
D、10

1.单项选择题混频电路的核心是（）器件。

A、线性
B、非线性
C、温度补偿
D、稳压

2.单项选择题图像中频是（）MHz。

A、38
B、31.5
C、6.5
D、4.43

3.单项选择题TDQ—3型调谐器中双栅场效应管接成（）级联放大器。

A、共射—共射
B、共射—共基
C、共射—共集
D、共源—共栅

4.单项选择题场效应管线性范围宽、AGC控制灵敏、控制（）大。

A、电压
B、电流
C、范围
D、功率

5.单项选择题双栅场效应管高频放大器输出回路采用（）耦合双调谐回路。

A、电容
B、电感
C、电阻
D、直接

6.单项选择题混频器输出回路是电感分压式、（）耦合双调谐回路。

A、电阻
B、电容
C、电感
D、直接

7.单项选择题TDQ—3调谐器中VHF混频器始终在（）接收中处于工作状态。

A、全频道
B、UHF波段
C、1—5频道
D、6—12频道

8.单项选择题为了保证残留边带方式的信号解调不失真，必须要求中频通道幅频特性曲线在（）MHz时应对准相对幅度50%处。

A、38
B、31.5
C、4.43
D、6.5

9.单项选择题为防止伴音信号过强会干扰图像，要求在31.5MHz时处在相对幅度（）处。

A、5%
B、50%
C、3%
D、1%

10.单项选择题AGC控制范围要求宽，总控制范围为（）dB。

A、20
B、40
C、60
D、100