单项选择题

测得某放大电路中的三极管,各管脚电位如图所示,则可判定该管为()

A.锗管①为b极
B.硅管③为c极
C.锗管②为e极
D.硅管③为b极


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1.单项选择题关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为()

A.基区很薄
B.基区掺杂浓度最高
C.发射区掺杂浓度最高
D.发射结的结面积小于集电结的结面积

3.单项选择题在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成()

A.P型半导体,其少子为自由电子
B.N型半导体,其多子为自由电子
C.P型半导体,其少子为空穴
D.N型半导体,其多子为空穴

4.单项选择题理想运算放大器的两个基本特点是()

A.虚地与虚断
B.虚短与虚地
C.虚短与虚断
D.断路与短路

5.单项选择题下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()

A.仅自由电子是载流子
B.仅空穴是载流子
C.自由电子和空穴都是载流子
D.三价杂质离子也是载流子

6.单项选择题要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的()

A.三价元素
B.四价元素
C.五价元素
D.六价元素

7.单项选择题硅稳压管的工作状态是()

A.正向导通
B.正向击穿
C.反向截止
D.反向击穿