A.A16~A15
B.A0~A9
C.A0~A11
D.A4~A15
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A.工作中存储内容会产生变化
B.工作中需要动态地改变访存地址
C.每次读出后,需根据原存内容重写一次
D.每隔一定时间,需要根据原存内容重写一遍
A.相邻位单元交界处必须变换磁化电流方向
B.相邻位单元交界处,电流方向不变
C.当相邻两位数值相同时,交界处变换电流方向
D.当相邻两位数值不同时,交界处变换电流方向
A.采用奇偶校验
B.采用海明校验
C.采用循环码校验
D.需同时采用两种校验
A.主存
B.磁盘
C.固存(或光盘)
D.高速缓存
A.采用直接程序传送方式(查询等待方式)
B.只采用中断方式
C.只采用DMA方式
D.既有DMA方式也有中断方式
A.M2F制
B.不归零-1制
C.调相制
D.调频制
A.必须指明外围设备的设备号
B.必须指明外围接口中寄存器的地址码
C.必须同时指明外围设备号与接口中寄存器的总线地址
D.对单独编址方式,可以指明设备号或端口地址。对统一编址方式,可以指明寄存器的总线地址
A.栈顶地址
B.栈底地址
C.栈顶内容
D.栈底内容
A.用寄存器号表示
B.存放在主存单元中
C.存放在寄存器中
D.事先约定,指令中不必给出
A.立即寻址
B.直接寻址
C.存储器间址
D.寄存器间址
最新试题
()是指参与运算的数的基本位数,是由加法器、寄存器的位数决定的。
以下()不属于微型计算机。
堆栈操作的特点是()。
对于电子计算机最常见的分代方法是以电子器件来划分为()代。
若I/O类指令采用独立编址,对系统带来的影响主要是()。
动态MOS记忆单元是靠MOS电路中的栅极()来存储信息的。
从6管的SRAM记忆单元到单管的DRAM记忆单元,有利于提高()。
存储器堆栈需要设置一个专门的硬件寄存器,称为(),而寄存器堆栈则没有。
栅极电平只能维持一段时间,若要维持所保存的信息,需要对C1、C2电容充电,此过程被称为“刷新(refresh)”。刷新过程也就是读出过程,但只为完成充电而并不需要读出信息,定期执行一次()。
主存储器通常由以下哪些部分组成?()