关于PID算法，正确描述是（）。

单项选择题关于PID算法，正确描述是（）。

A.是闭环控制系统必须采用的控制算法
B.PID算法有多种变化形式，如P、PI、PD等
C.对于残差较大的系统，应该增加微分时间
D.数字PID算法的输出与采样周期无关

1.单项选择题下列哪个是绝缘栅双极型晶体管（）

A.GTR
B.SCR
C.GTO
D.IGBT

2.单项选择题国际电工委员会（）将电流信号（）确定为过程控制系统电模拟信号的优先值。（）

A.DC；0~20mA
B.DC；0~10V
C.DC；4~20mA
D.AC；0~10mA

3.单项选择题 用示波器观察到交流电的波形如题图所示，若示波器每格的电压设定为7V/div的位置，则该交流电的峰-峰值为（）。

A.7V
B.14V
C.21V
D.28V

4.单项选择题流过导体中的交变电流的频率越高，电流越靠近导体表面流动，使导体中等效电阻变大，这种效应称为（）。

A.趋肤效应
B.霍尔效应
C.电磁效应
D.高频电流效应

5.单项选择题电流源的电路模型是（）。

A.恒压源与电阻的并联
B.恒压源与电阻的串联
C.恒流源与电阻的并联
D.恒流源与电阻的串联

6.单项选择题同一三相对称负载接入同一电源中去，三角形联接的功率等于星形联接的（）。

A.1倍
B.1.5倍
C.2倍
D.3倍

7.单项选择题用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（）。

A.PNP管，CBE
B.NPN管，ECB
C.NPN管，CBE
D.PNP管，EBC

8.单项选择题三极管处于放大状态时，要求发射结电压正偏，集电结电压（）

A.正偏
B.反偏
C.零偏
D.开路

9.单项选择题晶闸管导通后，管压降约有（）V。

A.0.3
B.0.7
C.1
D.2

10.单项选择题基尔霍夫电流定律的表达式是（）。

A.ΣI=0
B.ΣU=0
C.ΣE=0
D.ΣU=ΣE