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在单晶硅锭进行基准面研磨前,还需要进行整形处理,其内容一般包括单晶硅锭的头尾切割及径向研磨。
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悬浮区熔法是利用高频感应线圈对多晶硅锭进行逐段熔化,在多晶硅锭下端安装籽晶,熔区从籽晶和多晶硅锭安装界面开始,当熔区推进时,单晶硅锭也拉制成功了。
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硅属于单质半导体,砷化镓属于化合物半导体。
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