已知CdS光敏电阻的最大功耗为40mW，光电导灵敏度Sg=0.5×10-6S...

问答题已知CdS光敏电阻的最大功耗为40mW，光电导灵敏度S_g=0.5×10^-6S/lx暗电导g₀=0，若给其加偏置电压20V，此时入射到光敏电阻上的极限照度为多少？

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1.问答题 光敏电阻R与R_L=20kΩ的负载电阻串联后接于U_b=12V的直流电源上，无光照时负载上的输出电压为U₁=20mV，有光照时负载上的输出电压为U₂=2V，求
①光敏电阻的暗电阻和亮电阻值；
②若光敏电阻的光电导灵敏度S_g=6×10^-6S/lx，求光敏电阻所受的照度。

参考答案：

2.问答题 已知硅光电池2CR32的受光面积为5×10mm²，在室温30℃，人射光照度为1000W/m²的条件下，U_OC=0.55V，I_SC=12×10^-3A。求能在200～700W/m²照度范围内，求：
⑴取得最大线性输出电压下最佳负载R_L。
⑵输出电压ΔU。
⑶输出电流ΔI。

参考答案：

3.问答题 已知硅光电二极管2DU2的灵敏度S_i=0.55μA/μW，结间漏置电导G=0.02μS，转折点电压U_M=13V，入射光功率从Φ_min=15μW变到Φ_max=35μW，供电偏电压为U_b=55V。求：
（1）取得最大线性输出电压下最佳负载R_L。
（2）输出电压ΔU。
（3）输出电流ΔI。