单项选择题关于巴黎系统的插植基本规则,描述错误的是()

A.所有的放射源的线比释动能率相等
B.放射源是相互平行的直线源
C.插植时各直线源强度及长度相等
D.各源的中心在同一平面,即中心平面
E.多平面插植放射源排列为长方形或等边三角形


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3.单项选择题采用等中心方法,拍摄两张互相垂直的影象片,此种放射源的定位技术称为()

A.正交技术
B.立体平移技术
C.立体交角技术
D.立体斜交技术
E.旋转技术

6.单项选择题近距离照射中,距离源1cm和3cm之间的剂量变化为()

A.1倍
B.3倍
C.6倍
D.9倍
E.16倍

7.单项选择题关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()

A.剂量建成区
B.低剂量坪区
C.高剂量坪区
D.剂量跌落区
E.X射线污染区

8.单项选择题电子束旋转治疗时的β角,射野宽W和曲率半径r的关系是()

A.W=2rSin(β/2)/[1-(f/r)Cos(β/2)]
B.W=2rSin(β/2)/[1-(r/F.Cos(β/2)]
C.W=2rSin(f/2)/[1-(r/F.Cos(β/2)]
D.W=2rSin(β/2)/[1-(r/F.Cos(f/2)]
E.W=2rCos(β/2)/[1-(r/F.Sin(β/2)]