单项选择题再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。
A.曲率中心
B.曲率中心相反
C.曲率中心垂直
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1.单项选择题位错缠结的多边化发生在形变合金加热的（）阶段。
A.回复
B.再结晶
C.晶粒长大
2.单项选择题Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是（）
A.溶质原子再扩散到位错周围
B.位错增殖的结果
C.位错密度降低的结果
3.单项选择题已知Cu的Tm=1083摄氏度，则Cu的最低再结晶温度约为（）
A.200摄氏度
B.270摄氏度
C.350摄氏度
4.单项选择题bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，（）具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。
A.bcc
B.fcc
C.hcp
5.单项选择题塑性变形产生的滑移面和滑移方向是（）
A.晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向
B.晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向
C.晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向
6.单项选择题在弹性极限σe范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为（）
A.包申格效应
B.弹性后效
C.弹性滞后
7.单项选择题固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是（）
A.间隙机制
B.空位机制
C.交换机制
8.单项选择题大角度晶界具有（）个自由度。
A.3
B.4
C.5
9.单项选择题以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（）
A.孪晶铜
B.中碳钢
C.亚共晶铝硅合金
10.单项选择题原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为（）
A.肖脱基缺陷
B.Frankel缺陷
C.堆垛层错
