影响烧结的因素不包括（）

单项选择题影响烧结的因素不包括（）

A.原始粉料的粒度
B.外加剂
C.烧结温度
D.烧结速度

1.单项选择题下列不属于造成二次再结晶的原因是（）

A.原始粒度不均匀
B.烧成温度偏高
C.烧成温度偏低
D.烧结速度太快

2.单项选择题防止二次再结晶最好的方法是（）

A.控制烧结速率
B.控制粒晶
C.加适当的添加剂
D.改变温度

3.单项选择题二次再结晶的推动力是（）

A.大晶粒界面与邻近低表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能
B.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效低的表面能
C.大晶粒界面与邻近低表面能和大曲率半径的晶面相比有效高的表面能
D.大晶粒界面与邻近高表面能和小曲率半径的晶面相比有效高的表面能

4.单项选择题晶粒生长与二次再结晶过程不会在烧结的哪个过程进行？（）

A.初期
B.中期
C.后期

5.单项选择题二次再结晶是指（）

A.少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
B.多数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程
C.晶粒不断成核长大的过程
D.少数大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程

6.单项选择题初次再结晶的推动力是（）

A.基质塑性变形所增加的能量
B.基质塑性的表面能
C.基质塑性变形所固有的能量
D.基质塑性的界面能

7.单项选择题下列哪种传质方式的特点是中心距缩短的双球模型（）

A.扩散传质
B.流变
C.溶解-沉淀
D.蒸发－凝聚

8.单项选择题下列哪种传质方式的特点是中心距不变的双球模型（）

A.扩散传质
B.流变
C.溶解-沉淀
D.蒸发－凝聚

9.单项选择题下列哪种传质方式产生的原因是溶解度△C（）

A.扩散传质
B.流变
C.溶解-沉淀
D.蒸发－凝聚

10.单项选择题下列哪种传质方式产生的原因是压力差△P（）

A.扩散传质
B.流变
C.溶解-沉淀
D.蒸发－凝聚