一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期...

问答题一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？

1.问答题半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种？

2.问答题什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。

3.问答题 一个容量为16K×32位的存储器，其地址线和数据线的总和是多少？当选用下列不同规格的存储芯片时，各需要多少片？
1K×4位，2K×8位，4K×4位，16K×1位，4K×8位，8K×8位

4.问答题说明存取周期和存取时间的区别。

5.问答题存储器的层次结构主要体现在什么地方？为什么要分这些层次？计算机如何管理这些层次？

6.问答题计算机中哪些部件可以用于存储信息？按速度、容量和价格/位排序说明。

7.问答题在一个32位的总线系统中，总线的时钟频率为66MHZ，假设总线最短传输周期为4个时钟周期，试计算总线的最大数据传输率。若想提高数据传输率，可采取什么措施？

8.问答题设数据总线上接有A、B、C、D四个寄存器，要求选用合适的74系列芯片，完成下列逻辑设计：
设计一个电路，实现下列操作：
T0时刻完成D→总线；
T1时刻完成总线→A；
T2时刻完成A→总线；
T3时刻完成总线→B。

9.问答题设数据总线上接有A、B、C、D四个寄存器，要求选用合适的74系列芯片，完成下列逻辑设计：设计一个电路，在同一时间实现D→A、D→B和D→C寄存器间的传送。

10.问答题什么是总线的数据传输率，它与哪些因素有关？