单项选择题II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。
A.点阵中的金属原子间隙
B.一种在禁带中引入施主的点缺陷
C.点阵中的点阵中的金属原子空位
D.一种在禁带中引入受主的位错
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.单项选择题电子在晶体中的共有化运动是指（）。
A.电子在晶体中各处出现的几率相同
B.电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
D.电子在晶体各原胞对应点的相位相同
2.单项选择题最小电导率出现在（）型半导体。
A.n
B.p
C.本征
3.问答题硝酸（HNO3）。
4.问答题盐酸（HCl）。
5.问答题氢氧化钠。
6.问答题硅酸盐。
7.问答题简述硅片表面污染的来源。
8.问答题简述硅片表面污染的来源。
9.问答题半导体芯片制造工艺对气体有什么要求？
10.问答题半导体芯片制造工艺对水质有什么要求？
最新试题
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。
题型：判断题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。
题型：填空题
理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型：判断题
双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。
题型：填空题
实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂质和缺陷。
题型：判断题
1947年，（）等人制造了第一个晶体管。
题型：填空题
半导体的主要特征有（）（）（）和（）。
题型：填空题
绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
题型：判断题
双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。
题型：填空题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。
题型：判断题