单项选择题半导体的载流子扩散系数大小决定于其()。
A.复合机构
B.能带结构
C.晶体结构
D.散射机构
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1.单项选择题Si中掺金的工艺主要用于制造()器件。
A.高可靠性
B.高频
C.大功率
D.高电压
2.单项选择题若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定()。
A.处于绝对零度
B.不含任何杂质
C.不含任何缺陷
D.不含施主
3.单项选择题II-VI族化合物中的M空位Vm是()。
A.点阵中的金属原子间隙
B.一种在禁带中引入施主的点缺陷
C.点阵中的点阵中的金属原子空位
D.一种在禁带中引入受主的位错
4.单项选择题电子在晶体中的共有化运动是指()。
A.电子在晶体中各处出现的几率相同
B.电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
D.电子在晶体各原胞对应点的相位相同
5.单项选择题最小电导率出现在()型半导体。
A.n
B.p
C.本征
6.问答题硝酸(HNO3)。
7.问答题盐酸(HCl)。
8.问答题氢氧化钠。
9.问答题硅酸盐。
10.问答题简述硅片表面污染的来源。
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绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
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晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
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