单项选择题重空穴指的是()。
A.质量较大的原子形成的半导体产生的空穴
B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D.自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
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1.单项选择题半导体的载流子扩散系数大小决定于其()。
A.复合机构
B.能带结构
C.晶体结构
D.散射机构
2.单项选择题Si中掺金的工艺主要用于制造()器件。
A.高可靠性
B.高频
C.大功率
D.高电压
3.单项选择题若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定()。
A.处于绝对零度
B.不含任何杂质
C.不含任何缺陷
D.不含施主
4.单项选择题II-VI族化合物中的M空位Vm是()。
A.点阵中的金属原子间隙
B.一种在禁带中引入施主的点缺陷
C.点阵中的点阵中的金属原子空位
D.一种在禁带中引入受主的位错
5.单项选择题电子在晶体中的共有化运动是指()。
A.电子在晶体中各处出现的几率相同
B.电子在晶体原胞中各点出现的几率相同
C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
D.电子在晶体各原胞对应点的相位相同
6.单项选择题最小电导率出现在()型半导体。
A.n
B.p
C.本征
7.问答题硝酸(HNO3)。
8.问答题盐酸(HCl)。
9.问答题氢氧化钠。
10.问答题硅酸盐。
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MOS管阈值电压的单位是eV。
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MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
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处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
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半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
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理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
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MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
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处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
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MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
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