问答题举例说明什么是受主杂质,什么是p型半导体?
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3.单项选择题在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。
A.禁带较窄
B.禁带较宽
C.禁带是间接跃迁型
D.禁带是直接跃迁型
4.单项选择题在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料()。
A.无杂质污染
B.受宇宙射线辐射
C.化学配比合理
D.晶体完整性好
5.单项选择题若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高,则该材料是()。
A.本征半导体
B.金属
C.化合物半导体
D.掺杂半导体
6.单项选择题重空穴指的是()。
A.质量较大的原子形成的半导体产生的空穴
B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D.自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
7.单项选择题半导体的载流子扩散系数大小决定于其()。
A.复合机构
B.能带结构
C.晶体结构
D.散射机构
8.单项选择题Si中掺金的工艺主要用于制造()器件。
A.高可靠性
B.高频
C.大功率
D.高电压
9.单项选择题若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定()。
A.处于绝对零度
B.不含任何杂质
C.不含任何缺陷
D.不含施主
10.单项选择题II-VI族化合物中的M空位Vm是()。
A.点阵中的金属原子间隙
B.一种在禁带中引入施主的点缺陷
C.点阵中的点阵中的金属原子空位
D.一种在禁带中引入受主的位错
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()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
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