问答题解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
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1.问答题漂移运动和扩散运动有什么不同?
5.单项选择题在光电转换过程中,Si比GaAs量子效率低,因为其()。
A.禁带较窄
B.禁带较宽
C.禁带是间接跃迁型
D.禁带是直接跃迁型
6.单项选择题在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率,是因为这样的材料()。
A.无杂质污染
B.受宇宙射线辐射
C.化学配比合理
D.晶体完整性好
7.单项选择题若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高,则该材料是()。
A.本征半导体
B.金属
C.化合物半导体
D.掺杂半导体
8.单项选择题重空穴指的是()。
A.质量较大的原子形成的半导体产生的空穴
B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D.自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
9.单项选择题半导体的载流子扩散系数大小决定于其()。
A.复合机构
B.能带结构
C.晶体结构
D.散射机构
10.单项选择题Si中掺金的工艺主要用于制造()器件。
A.高可靠性
B.高频
C.大功率
D.高电压
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半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
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