说明杂质在晶圆中的扩散机制及主要特点，并各举一例。

问答题说明杂质在晶圆中的扩散机制及主要特点，并各举一例。

1.问答题什么是扩散？并说明扩散的两个基本条件？按材料的形态划分，扩散有那几种基本形式？工艺中的高温扩散属于哪一种？

扩散，是一种材料通过另一种材料的运动。
扩散的两个必要条件：浓度差，过程所需要的能量。
固态，液态，气态扩散。
属于固态扩散。

2.问答题列出半导体制造中四种常见的杂质，并说明掺杂后相应的半导体硅的导电类型。

硼：P型；
磷，砷和锑：N型

3.问答题半导体工艺中是如何形成PN结的？什么是结深？

4.问答题掺杂的主要目的是什么？给出硅片制造中的三种主要掺杂应用。

5.问答题 根据下图给出的一氧化工艺的菜单实例，试说明：
（1）该工艺采用的氧化方法
（2）每一步骤的具体作用（或状态）
（3）氮气在整个工艺流程中的作用
（4）工艺过程中加入HCl的主要作用

6.问答题氧化系统的基本组成结构及每一部分的主要作用。

7.问答题什么是氧化层固定电荷？其产生的主要原因是什么？它对半导体器件的电学特性有何影响？工艺中可以用什么办法来解决？

8.问答题列出Si—SiO₂界面处的四种电荷，说明钠离子是属于哪一类电荷，以及这一类电荷会导致芯片出现什么问题，工艺中如何解决这一问题？

9.问答题试说明高压氧化技术的原理（或依据）及主要作用，并说明高低压氧化各自的控制机制和氧化层厚度的变化规律。

10.问答题什么是表面反应控制？什么是扩散控制？并说明什么情况下生长过程分别为这两种控制，以及这两种控制在生长速率上呈何种反应？