A.金属电阻应变片
B.半导体电阻应变片
C.压电元件
D.霍尔元件
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A.压力
B.负荷
C.速度
D.力矩
A.压电元件有极性
B.压电元件可以串联或并联使用
C.压电元件可等效为电容器
D.压电元件不可等效为电荷源
根据压电效应造成的传感器有()。
①测力传感器
②压力传感器
③加速度传感器
④位移传感器
A.①②④
B.①②③
C.①②③④
D.②③④
A.表压
B.绝压+表压
C.密封压
D.A+B+C
硅压力传感器失效的形式有()。
①参数漂移;
②绝缘降低;
③膜片劈裂;
④电磁干扰;
⑤芯体渗漏。
A.②③④⑤
B.①③④⑤
C.①②③⑤
D.①②③④⑤
A.被测介质的压力不直接作用于传感器的膜片上
B.被测介质的压力作用使得膜片产生微小位移
C.硅压力传感器实际影响的都是传感器阻值的变化
D.压力传感器输出的都是标准的电压或电流信号
A.0℃
B.25℃
C.50℃
D.100℃
A.PTC
B.NTC
C.CTR
D.PTC+CTR
A.半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升
B.P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中
C.不能制作成接触型
D.半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高
A.铬铜
B.铬镍
C.铂铑
D.铜镍
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