A.200MΩ
B.400MΩ
C.600MΩ
D.800MΩ
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A.良好绝缘
B.绝缘受潮
C.存在集中性缺陷
D.导体
A.10PC
B.20PC
C.30PC
D.50PC
A.250
B.300
C.150
D.68
A.5A
B.10A
C.50A
D.100A
A.1次
B.2次
C.3次
D.4次
A.0.6
B.0.65
C.0.7
D.0.8
A.接触电阻增大
B.泄漏电流增大
C.介损增大
D.表面有裂纹
A.-0.05
B.0.1
C.0.06
D.0.02
A.±1%
B.±3%
C.±5%
D.±10%
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±5%
最新试题
直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。
重大缺陷消缺率和及时率的要求分别为90%和85%。
在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
通过通过调整缺陷设备的运行方式并不能使设备的缺陷降级,因为缺陷仍然存在。
试验变压器波形畸变的根本原因是调压器和试验变压器的漏抗以及电容负载所造成。
真空断路器具有体积小、重量轻、维护工作量小等优点,适用于超高压系统。
若仪表刻度不均匀,则在分度线较密的部分,读数误差较大,灵敏度也较低。
电容式传感器最常用的形式是由两个平行电极组成、极间以空气为介质的电容器。
考虑系统短路电流产生的动稳定和热稳定效应的电气设备有变压器、断路器、电流互感器、耦合电容器。
将并联有晶闸管阀及其电抗器的电容器串接于输电线路中,并配有旁路断路器、隔离开关、串补平台、支撑绝缘子、控制保护系统等附属设备组成的装置,简称可控串补。