A.3~10kV
B.10kV
C.5~15kV
D.15kV
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A.0.8Ue
B.0.9Ue
C.1.0Ue
D.1.1Ue
A.45
B.30
C.21
D.18
A.真空
B.相对真空度
C.绝对真空度
D.绝对压力
A.自持放电
B.非自持放电
C.电弧放电
D.均匀场中放电
A.电导
B.电离
C.游离
D.空间电荷
A.波动
B.磁饱和
C.过流
D.过压
A.辉光放电
B.电晕放电
C.火花放电
D.沿面放电
A.900nm
B.400nm
C.100nm
D.50nm
A.击穿电压
B.击穿场强
C.介质厚度
D.绝缘强度
A.电击穿
B.电化学击穿
C.热击穿
D.电离击穿
最新试题
当电力设备的额定电压与实际使用的额定电压不同时,当采用额定电压较高的设备以加强绝缘时,应按照设备的额定电压确定其试验电压。
真空断路器具有体积小、重量轻、维护工作量小等优点,适用于超高压系统。
直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。
主变高压套管带电检测,其检测阻抗能否直接串入电容接地线测量。
在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
40.5kV及以上非纯瓷套管和多油断路器的tanδ应在分闸状态下按每支套管进行测量。
描迷电场的电力线总是起始于正电荷,终止于负电荷,电力线既不闭合、不间断、不相交。
交流耐压试验电压波形应是正弦或接近正弦,两个半波应完全一样,且波顶因数即峰值与有效值之比应等于√2±0.07。
在现场相同条件下(好天气),用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。
考虑系统短路电流产生的动稳定和热稳定效应的电气设备有变压器、断路器、电流互感器、耦合电容器。