A.体积小
B.无间隙
C.无续流
D.通流容量大
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A.增大沿面距离
B.采用半导体釉和硅橡胶绝缘子防污闪
C.改进电极形状
D.削弱或抑制游离过程
A.改进电极形状
B.利用空间电荷改善电场分布
C.极不均匀电场中采用屏障改善电场分布
D.削弱或抑制游离过程
A.运行经验
B.雷电活动的强弱
C.地形地貌的特点
D.土壤电阻率的高低
A.防止雷直击导线
B.防止线路中断供电
C.防止雷击闪络
D.防止建立稳定的工频电弧
E.防止引起绝缘闪络
F.防止线路感应雷过电压
A.耐受电压的高低
B.耐雷水平
C.雷击耐受次数
D.雷击跳闸率
A.冲击放电电压
B.残压
C.侵入雷电压
D.标称电压
A.行波法
B.超声波法
C.声电综合法
D.波形识别法
A.化学分析法
B.介质损耗法
C.声测法
D.光测法
A.绝缘介质内部的局部放电
B.气隙的局部放电
C.绝缘介质表面的局部放电
D.高压电极尖端的电晕放电
A.雷电感应
B.静电感应
C.电磁感应
D.电场感应
最新试题
在规定时间内承载被保护部分的负载电流或(和)故障电流,以防止电容器过电压或金属氧化物限压器过负荷的受控触发间隙。
通过通过调整缺陷设备的运行方式并不能使设备的缺陷降级,因为缺陷仍然存在。
重大缺陷消缺率和及时率的要求分别为90%和85%。
线路用带串联间隙金属氧化物避雷器,每年根据运行年限和放电动作次数等因素确定抽样比例,将运行时间比较长或动作次数比较多的避雷器拆下进行预防性试验。
试验变压器波形畸变的根本原因是调压器和试验变压器的漏抗以及电容负载所造成。
40.5kV及以上非纯瓷套管和多油断路器的tanδ应在分闸状态下按每支套管进行测量。
220kV断路器的开断电流为21kA,将它更换为31.5kA的断路器。更换断路器后开断容量是S=U×I=220×31.5=6930MVA。
直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。
绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷,则其tgδ将随电压的升高而明显增加。
交流耐压试验电压波形应是正弦或接近正弦,两个半波应完全一样,且波顶因数即峰值与有效值之比应等于√2±0.07。