A.设备效率
B.设备功率
C.试验电流波形
D.试验电压波形
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A.时间
B.温度
C.湿度
D.电磁场
A.本身消耗功率小
B.准确度高
C.标尺刻度均匀
D.能直接测量交流量
A.是否能产生局部电弧
B.流过脏污表面的泄漏电流是否足以维持一定程度的滑闪放电
C.内部绝缘状况
D.以上均不是
A.3MHz-30MHz
B.30MHz-300MHz
C.300MHz-3GHz
D.3GHz-30GHz
A.试品的容抗Xc与试验变压器漏抗之比等于1
B.试品的容抗Xc与试验变压器漏抗之比等于2
C.试品的容抗Xc与试验变压器漏抗之比等于3
D.试品的容抗Xc与试验变压器漏抗之比等于5
A.电桥法
B.脉冲法
C.闪络法
D.自激法
A.1
B.2
C.3
D.4
A.球隙测得的电压比永磁式电压表测得的电压大
B.球隙测得的电压比永磁式电压表测得的电压小
C.球隙测得的电压与永磁式电压表测得的电压相等
D.以上均不是
A.波形畸变
B.绝缘击穿取决于电压峰值
C.绝缘闪络和放电取决于电压峰值
D.绝缘闪络和放电取决于电流峰值
A.分闸时间
B.合闸时间
C.分、合闸同期性
D.弹跳时间
最新试题
真空断路器具有体积小、重量轻、维护工作量小等优点,适用于超高压系统。
对现场使用的电气仪器仪表,仪表本身消耗的功率越小越好,否则在测小功率时,会使电路工况改变而引起附加误差。
40.5kV及以上非纯瓷套管和多油断路器的tanδ应在分闸状态下按每支套管进行测量。
在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。
超高频局部放电试验能够发现设备内部发热、放电及绝缘缺陷。
交流耐压试验时,应测量试验电压的峰值Um,并使Um/√2=标准规定的试验电压U(有效值)。
GIS耐压试验之前,进行老化(净化)试验的目的是:使设备中可能存在的活动微粒杂质迁移到低电场区,并通过放电烧掉细小微粒或电极上的毛刺、附着的尘埃,以恢复GIS绝缘强度,避免不必要的破坏或返工。
220kV断路器的开断电流为21kA,将它更换为31.5kA的断路器。更换断路器后开断容量是S=U×I=220×31.5=6930MVA。
当电力设备的额定电压与实际使用的额定电压不同时,当采用额定电压较高的设备作为代用时,应按照实际使用的额定电压确定其试验电压。