问答题刻蚀及去PSG的目的是什么?
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A.光程差
B.相长干涉
C.相消干涉
D.光的衍射
4.单项选择题POCl3是一种()液体。
A.白色
B.红色
C.浮白色
D.无色
5.单项选择题硅片扩散工艺结束后应抽取()片来检测。
A.5
B.6
C.3
D.4
6.单项选择题电阻测试()个点。
A.4
B.3
C.5
D.6
7.单项选择题扩散洁净度要求是()
A.10万级
B.100万级
C.1万级
D.1000万级
8.单项选择题单晶绒面呈()形。
A.三角形
B.金字塔形
C.圆形
D.正方形
9.单项选择题刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能?()
A.并联电阻
B.开路电压
C.短路电流
D.串联电阻
10.多项选择题磷硅玻璃是有()组成。
A.CF4
B.SiO2
C.磷
D.SiF4