问答题
已知室温(300K)下硅的禁带宽度Eg≈1.12eV,价带顶空穴和导带底电子的有效质量之比m*p/m*n≈0.55,导带的有效状态密度NC≈2.8*1019/cm3,kT≈0.026eV。试计算:
1)室温(300K)下,纯净单晶硅的本征费米能级Ei;
2)室温(300K)下,掺磷浓度为1016/cm3的n型单晶硅的费米能级EF。
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