在如图所示电路中，已知V_CC＝16V，R_L＝4Ω，T₁和T₂管的饱和管压降│U_CES│＝2V，输入电压
足够大。试问：
（1）最大不失真输出功率P_om和实际效率η各为多少？
（2）每个晶体管的最大功耗P_Tm1、P_Tm2为多少？

电路如图所示（射极偏置电路），设在它的输人端接一内阻R_s＝5KΩ的信号源．电路参数为：R_b1＝33KΩ，R_b2＝22KΩ。R_e＝3．9KΩ，R_c＝4．7KΩ，R_L＝5．1KΩ，C_e＝50μF（与R_e并联的电容器）．V_cc＝5V．I_E≈0.33mA，β₀＝120，r_ce＝300KΩ，r_bb′=50Ω，f_T=700MHZ及C_b′c=1pF。求
（1）输入电阻R_i；
（2）中频区电压增益|A_VM|；
（3）上限频率f_H。

图题画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：
（1）电源电压V_CC，静态电流I_B、I_C和管压降V_CE的值；
（2）电阻R_b、R_C的值；
（3）输出电压的最大不失真幅度；
（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？

如图所示的运算放大电路中，已知R₁＝R₂＝10k，R₅＝15k，R₃＝R₄＝R₆＝30k，R_F＝30k，R_Fi＝R_F2＝10k，E₁＝3V，E₂＝4V，E₃＝3V。试求：
（1）指出A₁、A₂、A₃运算放大功能；
（2）计算输出电压u_o1、u_o2和u_o。

如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知V_P＝－4v，I_DSS＝1mA，V_DD＝16v，R_G1＝160kΩ，，R_G2＝40kΩ，R_G＝1MΩ，R_D＝10kΩ，R_S＝8kΩ，R_L＝1MΩ。试求：
（1）静态工作点Q
（2）画出微变等效电路
（3）电压放大倍数A_u
（4）输入电阻R_i、输出电阻R_o

在如图所示电路中，电表M的满偏电流为100μA，表头内阻R_M＝2kΩ，三极管T₁、T₂的参数相同，β＝50，r_be＝1.8kΩ，电位器RW的滑动端位于中点。试求使电流表满偏时所需的输入电压v_S。

共射放大电路如图（a）所示。
（1）试确定电路的静态工作点（写出I_BQ、I_CQ和V_CEQ的表达式）；
（2）画出该放大器的小信号等效电路；
（3）该放大器的输入电阻、输出电阻、电压增益A_v及源电压增益A_vs的表达式（设电容的容抗可忽略不计）；
（4）用直流电压表测量时，若出现V_CEQ≈0V或V_CEQ≈24V，说明三极管工作在什么状态？
（5）用示波器观察v_O端波形时，若出现图（b）所示情况，为何种失真？应如何消除？
（6）若想改善放大器的低频特性，可以采用什么方法？

电路如图所示，JFET的g_m＝2mS，r_ds＝20kΩ，求：
（1）双端输出时的差模电压增益A_Vd＝（V_o1－V_o2）／V_id的值；
（2）电路改为单端输出时，A_Vd1、A_Vc1和K_CMR的值。