由杂质引起的缺陷有两种情况：即置换式和填隙式。

判断题由杂质引起的缺陷有两种情况：即置换式和填隙式。

1.判断题晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。

2.判断题面缺陷是发生在一个层面的非周期性排列，体缺陷是指在三维方向上相对尺寸比较大的缺陷。

3.判断题线缺陷是指发生在晶体内多个方向上的非周期性排列。

4.判断题当组成分子晶体的分子体积比较大时，分子晶体液化后，分子的取向有序可能被保留，于是就形成了液晶。

5.判断题分子晶体的晶格结点上是电中性分子，晶格结点间以微弱的范德华力结合，因此分子晶体一般熔点低、硬度小、易挥发。

6.判断题因为负离子一般比较大，负离子的堆积是离子晶体结构的主要框架，正离子被看成是填充在负离子堆积形成的空隙中。

7.判断题在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子，离子之间以离子键结合。

8.判断题以共价结合的小分子在较低温度时，通过范德华力结合在一起形成分子晶体。

9.判断题在共价晶体中晶格结点上是中性原子，原子间以共价键结合，不断向周围延伸形成一个巨大分子。

10.判断题金刚石是共价晶体。