已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为()。
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
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某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为()。
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在()。
A.截止状态
B.放大状态
C.饱和状态
A.PNP管的集电极
B.PNP管的发射极
C.NPN管的发射极
D.NPN管的基极
电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uo应为()。
A.最大值为40V,最小值为0V
B.最大值为40V,最小值为+10V
C.最大值为10V,最小值为-40V
D.最大值为10V,最小值为0V
A.增大
B.不变
C.减小
A.高通滤波电路
B.低通滤波电路
C.带通滤波电路
A.基准电压
B.采样电压
C.基准电压与采样电压之差
A.通用型
B.高阻型
C.高压型
D.低功耗型
A.输出电阻大
B.输出电阻小
C.输入电阻大
D.输入电阻小
A.输入电阻增大
B.输出量增大
C.净输入量增大
D.净输入量减小
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负反馈越深,电路的性能越稳定。
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