比例运算电路如下图所示,该电路的输入电阻为()。
A.零
B.R1
C.无穷大
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放大电路如下图所示,当RF增加时,该电路的通频带()。
A.变宽
B.变窄
C.不变
电路如下图所示,R1、R2支路引入的反馈为()。
A.串联电压负反馈
B.正反馈
C.并联电压负反馈
A.同相输入信号电压高于反相输入信号
B.同相输入信号电压高于反相输入信号,并引入负反馈
C.反相输入信号电压高于同相输入信号,并引入负反馈
D.反相输入信号电压高于同相输入信号,并开环
A.闭环放大倍数越大
B.开环放大倍数越大
C.抑制漂移的能力越强
D.对放大倍数没有影响
A.放大差模信号,抑制共模信号
B.放大共模信号,抑制差模信号
C.放大差模信号和共模信号
D.差模信号和共模信号都不放大
A.输入电阻
B.信号源内阻
C.负载电阻
A.输入电阻高,输出电阻低
B.输入电阻低,输出电阻高
C.输入,输出电阻都很高
D.输入,输出电阻都很低
如图所示的放大电路()。
A.不能稳定静态工作点
B.能稳定静态工作点,但比无二极管D的电路效果要差
C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好
已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为()。
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为()。
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道增强型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
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集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡,则表示集成运放的()。
电路如图所示,参数选择合理,若要满足振荡的相应条件,其正确的接法是()。
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如图所示的放大电路()。
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