三极管共发射极接法电路，集电极电流的变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB的比值...

单项选择题三极管共发射极接法电路，集电极电流的变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB的比值称为三极管共发射极接法（）。

A、电流系数
B、电流放大系数
C、电流常数
D、电压系数

1.单项选择题三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。

A、集中结
B、集成结
C、集电结
D、集合结

2.单项选择题在PN节之间加（），多数载流子扩散被抑制，反向电流几乎为零，就形成了PN节截止。

A、直流电压
B、交流电压
C、正向电压
D、反向电压

3.单项选择题在PN节之间加（），多数载流子的扩散增强，有电流通过PN节，就形成了PN节导电。

A、直流电压
B、交流电压
C、正向电压
D、反向电压

4.单项选择题将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后，会有机地结合在一起，就在交界外形成了电荷的薄层，这个带电荷的薄层称为（）。

A、PN节
B、N型节
C、P型节
D、V型节

5.单项选择题P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。

A、W型半导体
B、U型半导体
C、P型半导体
D、N型半导体

6.单项选择题N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。

A、W型半导体
B、U型半导体
C、P型半导体
D、N型半导体

7.单项选择题在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。

A、W型
B、N型有P型
C、U型
D、V型

8.单项选择题用一个恒定电流Is和一个电导GO并联表示一个电源，这种方式表示的电源称电流源。若GO=0则称为（）。

A、电位源
B、理想电压源
C、电阻源
D、理想电流源

9.单项选择题用一个恒定电流Is和一个电导GO并联表示一个电源，这种方式表示的电源称（）。

A、电压源
B、电流源
C、电阻源
D、电位源

10.单项选择题用一个恒定电动势E和一个内阻R0=0时我们称之为（）。

A、电位源
B、理想电流源
C、理想电压源
D、电阻源