A.产生同方向之磁场以阻止磁通减少
B.产生同方向之磁砀以反抗磁通之增加
C.产生反方向之磁场以阻止磁通之减少
D.产生反方向之磁场以反抗磁通之增加
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如图所示电路,求a、b两端的总电感Lab=()
A.3H
B.4H
C.5H
D.6H
A.2
B.4
C.6
D.8
如图所示,铁心的BC=0.5Wb/m2,假设铁心与气隙之截面积相同,求在气隙中之磁场强度为何()
A.1.78×105AT/m
B.3.98×105AT/m
C.5.64×105AT/m
D.7.13×105AT/m
如图所示,C1为33μF,充满电后,把开关S由A移至B点,则C1之电压降为75V后达稳定,假设C2之初电压为零,则C2值为()
A.44μF
B.33μF
C.22μF
D.11μF
A.1V
B.10V
C.100V
D.1000V
A.2.4μF
B.4.8μF
C.7.2μF
D.9.6μF
A.C1=300μF
B.C1=300F
C.C1与C2并联之总电容量为900μF
D.C1与C2串联之总电容量为900μF
A.平行极板间的距离
B.平行极板有效面积
C.介质的介电常数
D.极板的电阻系数
如图所示,有四个完全相同的电容器,其电容量皆为2μF,则()
A.0.5μF
B.1.5μF
C.2.0μF
D.6μF
如图所示,a、b两端的电容量为()
A.11μF
B.5μF
C.4.5μF
D.4μF
最新试题
电路如图所示,已知R为一个0.5k~100kΩ的可调电位器,要求Avd在1~100.5V/V范围内变化,假设第2级增益为0.5V/V,则()。
已知,某一正弦交流电路中的电压为u(t)=156sin(377t+15°)V,则下列描述有误的一项是()。
与单门限比较器相比,以下对迟滞比较器的描述不合理的是()。
下列对集成运放失调参数描述合理的是()。
关于回路方程,下列描述错误的一项是()。
电路如图所示,其功能是方波发生器,其中R和C的作用为()。
一阶动态电路中,下列关于换路定则表述最合理的一项是()。
电压源电压为零,电流源电流为零,分别称为()。
关于直流电流,下列描述正确的一项是()。
下列电路变量中,描述错误的一项是()。