单项选择题晶体管是由单层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。
A.基区
B.栅区
C.集电区
D.发射区
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1.单项选择题若使晶体管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结反偏，集电结反偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结正偏
2.单项选择题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。
A.发射结正偏，集电结正偏
B.发射结反偏，集电结反偏
C.发射结正偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结正偏
3.单项选择题双极型半导体器件是（）。
A.二极管
B.晶体管
C.场效应晶体管
D.稳压管
4.单项选择题晶体管按导电类型可分（）。
A.NPN型及PNP型晶体管
B.N型晶体管
C.P型晶体管
D.PNP晶体管
5.单项选择题按功率来分，晶体管可分为（）。
A.大功率管
B.中功率管
C.小功率管
D.以上都是
6.单项选择题按频率来分，晶体管可分为（）。
A.高频管
B.低频管
C.开关管
D.以上都是
7.单项选择题按晶体管的用处来分，晶体管可分为（）。
A.放大管、检波管、开关管等
B.放大管、整流管、开关管等
C.放大管、稳压管、开关管等
D.截止管、检波管、开关管等
8.单项选择题集电极最大允许功率损耗，其大小决定于集电结的最高（）。
A.电压
B.电流
C.温度
D.功率
9.单项选择题在放大电路中晶体管通常工作在（）状态。
A.饱和
B.截止
C.放大
D.耦合
10.单项选择题在图像、伴音等放大电路中晶体管可选用（）。
A.高频晶体管
B.低频晶体管
C.中频晶体管
D.大功率晶体管
