单项选择题体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是:()。
A.特征尺寸
B.器件数量
C.互连线长度
D.互连线层数
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1.单项选择题以下不是集成电路制造工艺特点的是:()。
A.超净
B.高精度
C.低精度
D.超纯
2.单项选择题画小信号等效电路时,恒定电流源视为()。
A.电阻
B.受控电流源
C.短路
D.开路
3.单项选择题在NMOS中,若VSB大于0,会使阈值电压()。
A.增大
B.不变
C.减小
D.可大可小
4.单项选择题
下图中的MOS管工作在()区(假定Vth=0.7V)。
A.截止区
B.深三极管区
C.三极管区
D.饱和区
5.单项选择题集成电路代工产业的缔造者是()。
A.基尔比
B.摩尔
C.张忠谋
D.胡正明
6.单项选择题FinFET等多种新结构器件的发明人是:()。
A.基尔比
B.摩尔
C.张忠谋
D.胡正明
7.单项选择题()年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
A.1947
B.1948
C.1957
D.1958
8.单项选择题单个芯片上集成约50万个器件,按照规模划分,该芯片为:()。
A.LSI
B.VLSI
C.ULSI
D.SoC
9.单项选择题摩尔定律之后,集成电路发展有三条主线,以下不是集成电路发展主线的是:()。
A.More Moore
B.More than Moore
C.Beyond CMOS
D.SoC
10.单项选择题如下不是集成电路产业特性的是:()。
A.资本密集
B.技术密集
C.低风险
D.高风险
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为了获得好的性能,塑封料的电学性必须得到控制。
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