单项选择题非易失性存储器不包括 ()

A.PROM
B.EEPROM
C.固态硬盘
D.高速缓存


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1.单项选择题以下关于DRAM和SRAM说法错误的是()

A.DRAM将每个位存储为对一个电容的充电
B.SRAM对光干扰敏感,对电干扰不敏感
C.SRAM主要用于高速缓存
D.SRAM具有双稳态特性

2.单项选择题以下关于DRAM和SRAM说法正确的是()

A.DRAM具有双稳态特性
B.SRAM将每个位存储为对一个电容的充电
C.DRAM主要用于主存,帧缓冲区
D.SRAM对干扰非常敏感

3.单项选择题以下哪些措施可能提高程序并行性()

A.循环展开
B.创建多个累积变量
C.重新变换结合
D.以上都是

4.单项选择题()是两次运算之间间隔的最小周期数。

A.丢包
B.吞吐量
C.发射时间
D.延迟

5.单项选择题()是执行实际运算所需要的时钟周期总数。

A.丢包
B.发射时间
C.延迟
D.吞吐量

6.单项选择题现代微处理器有两个主要部分:指令控制单元和执行单元。不属于指令控制单元的是()

A.指令高速缓存
B.退役单元
C.分支寄存器
D.指令译码

7.单项选择题以下哪项无法优化程序性能()

A.消除循环的低效率
B.减少过程调用
C.消除不必要的存储器使用
D.适当添加注释

8.单项选择题

int len = strlen(s),如果s=‛hell‛,则 len =()

A.4
B.5
C.s的首地址
D.0