单项选择题对一定的半导体,其本征载流子浓度()。
A.与温度无关,与杂质浓度无关
B.与温度有关,与杂质浓度有关
C.与温度无关,与杂质浓度有关
D.与温度有关,与杂质浓度无关
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.问答题说明pn结空间电荷区如何形成?
2.问答题请解释什么是欧姆接触?如何实现?
5.问答题试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。
6.单项选择题在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
A.锗
B.磷
C.硼
D.锡
7.单项选择题对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei。
A.Ec
B.Ev
C.Eg
D.EF
最新试题
若三极管VBE>0,VBE<VCE,则该三极管的工作状态是()
题型:单项选择题
锗三极管的饱和压降为()。
题型:单项选择题
NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
题型:单项选择题
PNP型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
题型:单项选择题
已知三极管的β=100,若IB=10μA,则该管的IC=()(忽略ICEO)
题型:单项选择题
PNP型三极管工作在正常放大状态时,电位最高的是(),最低的是()
题型:单项选择题
NPN型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
题型:单项选择题
硅三极管的饱和压降为()。
题型:单项选择题
β是()的比值。
题型:单项选择题
NPN型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()
题型:单项选择题