在温度T=300K，比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。（）

单项选择题在温度T=300K，比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。（）

A.1.74%
B.2.74%
C.3.74%
D.4.74%

1.单项选择题当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。

A.1
B.1/2
C.1/3
D.2/3

2.单项选择题对一定的半导体，其本征载流子浓度（）。

A.与温度无关，与杂质浓度无关
B.与温度有关，与杂质浓度有关
C.与温度无关，与杂质浓度有关
D.与温度有关，与杂质浓度无关

3.问答题说明pn结空间电荷区如何形成？

4.问答题请解释什么是欧姆接触？如何实现？

5.问答题请解释什么是肖特基势垒二极管，并说明其与pn结二极管的异同。

6.问答题漂移运动和扩散运动有什么不同？两者之间有什么联系？

7.问答题试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。

8.单项选择题在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。

A.锗
B.磷
C.硼
D.锡

9.单项选择题对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近E_i。

A.E_c
B.E_v
C.E_g
D.E_F

10.填空题（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。