问答题以Si在GaAs中的行为为例,说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。
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1.问答题简述效质量m*的引入意义
3.判断题在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中,由于受主能级比施主能级低得多,施主能级上的电子首先要去填充受主能级,使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱,这种现象称为杂质补偿。
5.判断题N型半导体的费米能级在本征费米能之上。
6.单项选择题在温度T=300K,比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。()
A.1.74%
B.2.74%
C.3.74%
D.4.74%
7.单项选择题当施主能级ED与费米能级EF相等时,电离施主的浓度为施主浓度的()倍。
A.1
B.1/2
C.1/3
D.2/3
8.单项选择题对一定的半导体,其本征载流子浓度()。
A.与温度无关,与杂质浓度无关
B.与温度有关,与杂质浓度有关
C.与温度无关,与杂质浓度有关
D.与温度有关,与杂质浓度无关
9.问答题说明pn结空间电荷区如何形成?
10.问答题请解释什么是欧姆接触?如何实现?
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