EPROM的特点是（）。

单项选择题EPROM的特点是（）。

A.一种掩膜式ROM，数据由厂家出厂时写好，用户不能更改
B.一种可编程的ROM，可由用户自己编写，但只能编写一次
C.一种电可擦除的ROM，用电子的形式擦除数据，用户可编程多次
D.一种可擦写的ROM，用紫外线照射擦除，用户可编程多次

1.单项选择题若IEEE754单精度格式为（-1）s×（1.M）×2E-127，则十进制数0.625表示成754标准的十六进制数据为（）。

A.3F200000H
B.BF200000H
C.3F400000H
D.BF400000H

2.单项选择题若IEEE754单精度格式为（-1）s×（1.M）×2E-127，则十进制数3/4表示成754标准的十六进制数据为（）。

A.3F200000H
B.BF200000H
C.3F400000H
D.BF400000H

3.单项选择题若IEEE754单精度格式为（-1）s×（1.M）×2E-127，则十进制数-3/4表示成754标准的十六进制数据为（）。

A.3F200000H
B.BF200000H
C.3F400000H
D.BF400000H

4.单项选择题若地址总线为A15（高位）～A0（低位），若用2KB的存储芯片组成8KB存储器，则加在各存储芯片上的地址线是（）。

A.A11～A0
B.A10～A0
C.A9～A0
D.A8～A0

5.单项选择题在存储器堆栈结构中，堆栈指针SP的内容是（）。

A.栈顶单元地址
B.栈底单元地址
C.栈顶单元内容
D.栈底单元内容

6.单项选择题若存储器的容量为16KB，则访问它的地址线应有（）。

A.4根
B.10根
C.14根
D.16根

7.单项选择题静态RAM存储信息依靠的是（）。

A.单稳态触发器
B.磁场
C.双稳态触发器
D.电容器

8.单项选择题在下列存储器中，属于挥发性的存储器是（）。

A.ROM
B.光盘
C.磁盘
D.RAM

9.单项选择题在计算机磁盘的各磁道中（）。

A.最外圈磁道的位密度最大
B.最内圈磁道的位密度最大
C.中间磁道的位密度最大
D.所有磁道的位密度一样大

10.单项选择题在存储器堆栈结构中，在栈底为最大地址的堆栈操作中压栈是指（）。

A.先使SP减1，再将数据存入SP所指单元
B.先使SP加1，再将数据存入SP所指单元
C.先将数据存入SP所指单元，再将SP减1
D.先将数据存入SP所指单元，再将SP加1