单项选择题通过改变导通相位角以改变输出电压的大小的控制方式称为()。
A.相控式
B.斩控式
C.交流式
D.直流式
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1.单项选择题下列器件中为全控型器件的是()。
A.双向晶闸管
B.快速晶闸管
C.光控晶闸管
D.功率场效应晶体管
2.单项选择题已知晶闸管型号为KP100-12G,则额定电压为()。
A.12V
B.120V
C.1200V
D.1000V
3.单项选择题已知晶闸管型号为KP100-12G,则额定电流为()。
A.12A
B.120A
C.100A
D.1000A
4.单项选择题单相半控桥电感性负载电路中,在负载两端并联一个续流二极管的目的是()。
A.增加晶闸管的导电能力
B.抑制温漂
C.增加输出电压稳定性
D.防止失控现象的产生
5.单项选择题下列不是IGBT的电极是()。
A.G
B.C
C.E
D.B
6.单项选择题逆导晶闸管是将大功率二极管与()集成在一个管芯上而成。
A.大功率三极管
B.晶闸管
C.双向晶闸管
D.GTO
7.单项选择题单相半波可控整流电路电阻性负载情况下控制角与导通角关系是α+θ=()。
A.1800
B.2700
C.3600
D.1500
8.单项选择题电阻性负载的特点是电压与电流()。
A.同相
B.相差300
C.相差600
D.相差900
9.单项选择题单相桥式全控整流电路阻感性负载(电感足够大)导通角为()。
A.2800
B.1800
C.900
D.600
10.单项选择题单相桥式全控整流电路阻感性负载移相范围为()。
A.0---1800
B.0---900
C.0---1200
D.0---1500
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本征半导体是(),导电能力弱。
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