单项选择题单结晶体管触发电路中,单结晶体管发射极的电容容量变大,控制角()。
A.变小
B.不变
C.变大
D.其它
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1.单项选择题单结晶体管触发电路是利用接在发射极的()充放电原理制作。
A.电阻
B.电容
C.阻容
D.电感
2.单项选择题单结晶体管触发电路中,触发回路信号必须和主回路信号()。
A.电压不一致
B.同步
C.不同步
D.电压一致
3.单项选择题单结晶体管的发射极电压升到()电压时,单结晶体管就导通。
A.谷点
B.峰点
C.阴极
D.阳极
4.单项选择题单结晶体管有()个极。
A.1
B.2
C.3
D.4
5.单项选择题三相桥式全控晶闸管整流电路在大电感负载情况下,移相范围是()度。
A.0-90
B.0-120
C.0-180
D.0-360
6.单项选择题三相桥式相控整流电路负载的波形是()的一部分。
A.相电压
B.线电压
C.电阻
D.以上都不对
7.单项选择题三相桥式全控整流电路用()个晶闸管。
A.3
B.4
C.5
D.6
8.单项选择题三相半波相控整流电路的脉动频率是()HZ。
A.50
B.100
C.150
D.300
9.单项选择题三相半波相控整流电路不导通的晶闸管承受的反向电压是()。
A.相电压
B.线电压
C.3倍相电压
D.电流
10.单项选择题三相半波相控整流电路负载的波形是()的一部分。
A.相电压
B.线电压
C.负载
D.电阻
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