氧化系统的基本组成结构及每一部分的主要作用。

问答题氧化系统的基本组成结构及每一部分的主要作用。

1.问答题什么是氧化层固定电荷？其产生的主要原因是什么？它对半导体器件的电学特性有何影响？工艺中可以用什么办法来解决？

2.问答题列出Si—SiO₂界面处的四种电荷，说明钠离子是属于哪一类电荷，以及这一类电荷会导致芯片出现什么问题，工艺中如何解决这一问题？

3.问答题试说明高压氧化技术的原理（或依据）及主要作用，并说明高低压氧化各自的控制机制和氧化层厚度的变化规律。

4.问答题什么是表面反应控制？什么是扩散控制？并说明什么情况下生长过程分别为这两种控制，以及这两种控制在生长速率上呈何种反应？

5.问答题根据氧化物的生长规律，试说明热氧化生长过程中的两个主要阶段，并说明它们分别位于氧化生长过程中的哪一时段，各自的生长模型和规律以及反映生长速率的参数和影响该参数的主要因素是什么？

6.问答题试说明氧化生长速率的基本定义及其物理含义，并说明影响氧化生长速率的主要工艺参数，及他们对生长速率的主要影响。

7.问答题试给出硅片上的热氧化生长过程的示意图，并说明其中的各物理量的基本含义。

8.问答题是说明什么是迪尔—格罗夫模型？试给出迪尔—格罗夫模型两种极限情况的示意图。并说明其物理意义。

9.问答题氧化硅的热动力学生长过程中包括哪几个主要过程？并说明每一种过程中的什么因素对氧化生长速率有影响？其中决定因素是什么？

10.问答题热生长厚度是2000A的氧化层后，Si-SiO₂的界面与原来的硅表面的高度差为多少？为什么？

氧化中硅消耗的厚度占总氧化物厚度的46%，即意味着每生长1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。
920A