单项选择题以下不是影响刻蚀质量的主要因素是（）。
A.粘附性
B.刻蚀温度
C.刻蚀时间
D.刻蚀槽的高度
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1.单项选择题下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是（）。
A.特征尺寸越来越小
B.晶圆尺寸越来越小
C.电源电压越来越低
D.时钟频率越来越高
2.单项选择题体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是：（）。
A.特征尺寸
B.器件数量
C.互连线长度
D.互连线层数
3.单项选择题以下不是集成电路制造工艺特点的是：（）。
A.超净
B.高精度
C.低精度
D.超纯
4.单项选择题画小信号等效电路时，恒定电流源视为（）。
A.电阻
B.受控电流源
C.短路
D.开路
5.单项选择题在NMOS中，若VSB大于0，会使阈值电压（）。
A.增大
B.不变
C.减小
D.可大可小
6.单项选择题
下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
A.截止区
B.深三极管区
C.三极管区
D.饱和区
7.单项选择题集成电路代工产业的缔造者是（）。
A.基尔比
B.摩尔
C.张忠谋
D.胡正明
8.单项选择题FinFET等多种新结构器件的发明人是：（）。
A.基尔比
B.摩尔
C.张忠谋
D.胡正明
9.单项选择题（）年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
A.1947
B.1948
C.1957
D.1958
10.单项选择题单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：（）。
A.LSI
B.VLSI
C.ULSI
D.SoC
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