动态MOS记忆单元是靠MOS电路中的栅极（）来存储信息的。

（）是指参与运算的数的基本位数，是由加法器、寄存器的位数决定的。

若I/O类指令采用独立编址，对系统带来的影响主要是（）。

最常见的计算机分代方法是按照（）来划分的。

从6管的SRAM记忆单元到单管的DRAM记忆单元，有利于提高（）。

（）又称字选法，所对应的存储器是字结构的。

软件堆栈在工作中（）移动。

硬件堆栈是由CPU内部的一组串联的（）组成的。

栅极电平只能维持一段时间，若要维持所保存的信息，需要对C1、C2电容充电，此过程被称为“刷新（refresh）”。刷新过程也就是读出过程，但只为完成充电而并不需要读出信息，定期执行一次（）。

RAM记忆单元从6管变到4管，在保持状态时没有外加电源供电，使得RAM成为了（）。