一个Ge（Li）探头相对于标准Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）闪...

问答题一个Ge（Li）探头相对于标准Φ7.62cm×6.62cm的NaI（T1）闪烁体有8％的光电峰效率。求对于距探测器40㎝处一个3.7×10⁷Bq的⁶⁰Co点源的1.33MeV全能峰计数率。

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1.问答题 试就以下条件画出硅面垒探测器的期望微分脉冲幅度谱：
（a）5MeV入射α粒子，探测器的耗尽深度大于α粒子的射程。
（b）5MeVα粒子，探测器的耗尽深度为α粒子射程之半。
（c）情况同（a），但5MeVα粒子已经经过一块吸收体，其厚度等于该物质中α射程的一半。

参考答案：

2.问答题当α粒子被准直得垂直于金硅面垒探测器的表面时，²⁴¹Am刻度源的主要α射线峰中心位于多道分析器的461道。然后改变几何条件，使α粒子偏离法线35°角入射，此时，峰位移到449道，试求死层厚度（以α粒子粒子能量损失表示）。

参考答案：

3.问答题使用一个完全耗尽了的0.1mm厚的硅探测器，若偏压大到足够使载流子速度处出饱和，估算电子和空穴的最大收集时间。

参考答案：

4.问答题死时间分别为30μs和100μs的探测器A和B，若B探测器的死时间漏计数率是A探测器死时间漏计数率的两倍，求应测的计数率是多少？

参考答案：

5.问答题电容为10PF的冲氩气的脉冲电离室，前置放大器的噪声约20MV，输入电容20PF（忽略分布电容）。若认为信噪比小于5就无法测量了，求该电离室能够测量的粒子最低能量。

参考答案：

6.问答题用锢（In）片活化法测量热中子通量密度，已知铟片s=4㎝²，x_m=100mg/cm²，锢中¹¹⁵In的丰度为95.7%，热中子活化截面145b。将铟片放在中子场中照射6小时后取出，等待20分钟开始测量¹¹⁶In的放射性，测量10分钟测得计数率为164000cps，求照射的热中子通量密度。（^116mIn的半衰期为54.1分，¹¹⁶In半衰期为14.1秒）

参考答案：

7.问答题当G-M计数管的窗厚加60mg/cm²时，β的计数率减少一半。试求这种放射源发射的β射线的最大能量是多少？

参考答案：

8.问答题一个具有比较好的信噪比特性的放大器给定10mV的最小输入脉冲。如果测量500keV的X射线，在一个具有200pF的充Ar正比计数管中需要多大的气体放大因子？

参考答案：

9.问答题极间距离为5cm，具有150pF电容的平行版电离室工作在电子灵敏方式。计算离阳极2cm处形成1000个离子对产生的脉冲幅度？

参考答案：

10.问答题活度为π5.55×10⁹Bq的¹⁴Cβ射线源（β射线的平均能量为50keV）置于充Ar的4π电离室内，若全部粒子的能量都消耗在电离室内，求饱和电流是多少？

参考答案：