显影也应具有选择性,高的显影选择性比意味着显影液与曝光的光刻胶反应得快。 要求比例低。
R.K*入/NA 1,波长 入 2,数值孔径NA 3,工艺因子K
最新试题
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
硅暴露在空气中,在室温下即可产生二氧化硅层,厚度约为()。
封装工艺中,银浆固化的温度为()。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是()。
光刻工艺的设备核心是()。
多层陶瓷基板多层化的方法包括()。
湿氧氧化采用的氧化水温是()。
掺杂后退火时间一般在()。
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标?()
CE定律发展面临的问题包括()。