刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。

封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

影响封装芯片特性的温度有（）。

IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

光刻工艺对准误差包括（）。