A.外光电效应B.内光电效应C.光电发射D.光导效应在光线作用下，半导体的电...

单项选择题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。

A.外光电效应
B.内光电效应
C.光电发射
D.光导效应

1.单项选择题在压电式加速度传感器中，将被测加速度转变为力的是（）。

A.压电元件
B.质量块
C.弹性元件
D.基体

2.单项选择题在压电式力与压力传感器中，压电元件能将被测量转换成（）。

A.电荷或电压输出
B.电压或电流输出
C.电容或电压输出
D.电感或电压输出

3.单项选择题压电式压力传感器不适于测量（）。

A.爆炸力
B.冲击力
C.动态力
D.静态力

4.单项选择题当某些晶体沿一定方向受外力作用而变形时.其相应的两个相对表面产生极性相反的电荷，去掉外力时电荷消失，这种现象称为（）。

A.压阻效应
B.压电效应
C.应变效应
D.霍尔效应

5.单项选择题用电涡流式速度传感器测量轴的转速，当轴的转速为50r/min，时，输出感应电动势的频率为50Hz，则测量齿轮的齿数为（）。

A.60
B.120
C.180
D.240

6.单项选择题自感式位移传感器是将被测物理量位移转化为（）。

A.电阻R的变化
B.自感L的变化
C.互感M的变化
D.电容C的变化

7.单项选择题 自感式位移传感器为常数，如果保持δ不变，则可构成何种类型的位移传感器（）

A.变气隙型
B.螺管型
C.变面积型
D.变极距型

8.单项选择题差动变压器式位移传感器属于（）。

A.电感式传感器
B.电容式传感器
C.光电式传感器
D.电阻式传感器

9.单项选择题霍尔电势公式中的角θ是指（）。

A.磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角
B.磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角
C.磁力线与霍尔薄片垂线之间的夹角

10.单项选择题霍尔元件采用恒流源激励是为了（）。

A.提高灵敏度
B.克服温漂
C.减少不等位电势