常用的DRAM 有哪些？各有什么特点？

从存取方式角度半导体只读存储器包含哪些类型？

已知：ORG 100HARY DW 3，4，5，6CNT EQU $-ARYDB 7，8，CNT，9则执行指令“MOV AX，ARY+2”和“MOV BX，ARY+10”后，AX=？，BX=？。

总线读/写周期中，会在什么情况下出现？其作用是什么？又有什么特点？

对于下面的数据定义，各条MOV 指令单独执行后，有关寄存器的内容是什么？

在8086中，如果AX=902FH，BX=8761H，则完成AX+BX后，CF、OF、AF、SF、ZF 分别是多少？

在8086中，逻辑地址FFFFH：0001H，00A2H：37FH，B800H：173FH 的物理地址分别是多少？

若果条件跳转指令的跳转目标范围超出-128~127的范围，该如何处理？举例说明。

在8086中，从物理地址388H 开始顺序存放下列3个双字节的数据，651AH，D761H 和007BH，请问物理地址388H、389H、38AH、38BH、38CH 和38DH 6个单元中分别是什么数据？

执行结果存放在什么地方？